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Si6928DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 10 thru 5 V
4V
20
16
12
8
T C = 125 °C
4
3V
4
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0.06
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1500
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
900
C iss
600
0.02
C oss
0.01
0
300
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 4.0 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 4.0 A
1.4
6
4
1.2
1.0
0.8
2
0.6
0
0.4
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70663
S-81056-Rev. D, 12-May-08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
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